Mendeley
TY  _  JOUR
ID  -  13940909105027652
TI  -  سلول حافظه ایستای (SRAM) زیرآستانه هشت ترانزیستوری با قابلیت‌های بهبودیافته خواندن و نوشتن
JO  -  فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران
JA  -  ES
LA  -  fa
SN  -  16823745
AU  -  پسندی قاسم
AU  -  فخرایی سیدمهدی
AD  -  دانشگاه تهران
AD  -  دانشگاه تهران
Y1  -  2014
PY  -  2014
VL  -  2
IS  -  12
SP  -  51
EP  -  59
KW  -  چینش
حافظه
حافظه ایستای تصادفی
کم‌توان
Memory
SRAM.
DO  -  
N2  -  سلول حافظه SRAM شش ترانزیستوری معمولی در ولتاژهای کم قابلیت نوشتن مناسبی ندارد و نیز دچار خطاهای خواندن می‌شود. در این مقاله با ارائه یک طرح هشت ترانزیستوری برای سلول حافظه، علاوه بر بهبود قابلیت نوشتن، میزان خطای خواندن نیز به شدت کاهش یافته است. بدین ترتیب سلول ارائه‌شده توانایی کارکردن در ولتاژهای زیرآستانه در حد 275 میلی‌ولت را دارد، در حالی که سلول حافظه شش ترانزیستوری معمولی فاقد این قابلیت است .با طراحی سلول ارائه‌شده و سلول شش ترانزیستوری معمولی و نیز سه سلول دیگر از بین مقالات اخیر برای مقایسه در تکنولوژی 90 نانومتر صنعتی و انجام شبیه‌سازی با HSPICE ملاحظه شد که طرح مذکور در ولتاژ تغذیه 800 میلی‌ولت، تأخیر خواندن و نوشتن را به ترتیب به میزان 50% و 5/47%، نسبت به بهترین طرح از بین چهار طرح فوق کاهش داده است. همچنین میزان بهبود توان مصرفی یک عمل نوشتن در این ولتاژ، نسبت به بهترین طرح، 40% بوده است. از بین پنج طرح مقایسه‌شده، تنها طرح ارائه‌شده ما قابلیت کارکرد صحیح در ولتاژهای زیرآستانه را دارد. در انتها با تهیه چینش طرح ارائه‌شده در تکنولوژی 180 نانومتر صنعتی و انجام شبیه‌سازی بعد از چینش، اثر اضافه‌شدن پارامترهای پارازیتی در مدار چینش را مورد بررسی قرار داده‌ایم.
UR  - rimag.ir/fa/Article/28085
L1  - rimag.ir/fa/Article/Download/28085
ER  -  
