Mendeley
TY  _  JOUR
ID  -  13970313153747112555
TI  -  کاهش جریان خاموشی در ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند دوگیتی نانومتری با استفاده از مهندسی آلایش میانه کانال
JO  -  فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران
JA  -  ES
LA  -  fa
SN  -  16823745
AU  -  کلانتری سروناز
AU  -  وادی‌زاده مهدی
AD  -  دانشگاه آزاد اسلامی واحد ابهر
AD  -  دانشگاه آزاد اسلامی واحد ابهر
Y1  -  2018
PY  -  2018
VL  -  1
IS  -  16
SP  -  37
EP  -  42
KW  -  ترانزیستورهای اثر میدان بدون پیوند دوگیتیتأخیر ذاتی گیتشیب زیر آستانهمهندسی آلایشنسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش
DO  -  
N2  -  مقیاس‌بندی طول کانال، جریان نشتی افزاره بدون پیوند دوگیتی (DGJL-FET) را افزایش می‌دهد و در نتیجه توان مصرفی افزاره در حالت خاموش افزایش می‌یابد. در این مقاله، ساختار نوینی برای کاهش جریان نشتی افزاره DGJL-FET پیشنهاد شده که Modified DGJL-FET نامیده می‌شود. در ساختار Modified DGJL-FET آلایش کانال در زیر گیت با آلایش سورس و درین یکسان، اما بیشتر از میانه کانال است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد با کاهش ضخامت لایه آلاییده زیر گیت، D، جریان نشتی کاهش می‌یابد. برای افزاره پیشنهادشده با طول کانال nm 10 جریان خاموشی دو دهه بزرگی کمتر از افزاره Regular DGJL-FET است. عملکرد افزاره Regular DGJL-FET و Modified DGJL-FET برای طول کانال‌های مختلف بر حسب نسبت جریان حالت روشنی به جریان حالت خاموشی (ION/IOFF)، شیب زیر آستانه (SS) و تأخیر ذاتی گیت مقایسه شده است. برای افزاره Modified DGJL-FET، D و آلایش میانه کانال به عنوان پارامترهای اضافی برای بهبود عملکرد افزاره در رژیم نانومتر در نظر گرفته شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد در افزاره پیشنهادشده با طول کانال nm 15، SS و ION/IOFF نسبت به افزارهRegular DGJL-FET به ترتیب 14% و 6e10 دهه بزرگی بهبود یافته است.
UR  - rimag.ir/fa/Article/28301
L1  - rimag.ir/fa/Article/Download/28301
ER  -  
