Mendeley
TY  _  JOUR
ID  -  13971213177998
TI  -  استفاده از گیت کمکی برای بهبود مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند سیلیکون بر روی عایق
JO  -  فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران
JA  -  ES
LA  -  fa
SN  -  16823745
AU  -  وادی‌زاده مهدی
AD  -  دانشگاه آزاد اسلامی واحد ابهر
Y1  -  2020
PY  -  2020
VL  -  1
IS  -  18
SP  -  67
EP  -  72
KW  -  ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند سیلیکون بر روی عایقتأخیر ذاتی گیتشیب زیر آستانهگیت کمکینسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش
DO  -  
N2  -  در ترانزیستورهای اثر میدان بدون پیوند سیلیکون بر روی عایق (SOI-JLFET)، آلایش سورس- کانال- درین از یک سطح و یک نوع است. بنابراین فرایند ساخت آنها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان مد وارونگی سیلیکون بر روی عایق آسان‌تر است. با این حال، شیب زیرآستانه (SS) زیاد و جریان نشتی بالا در SOI-JLFET، عملکرد آن را برای کاربردهای سرعت بالا و توان پایین با مشکل مواجه کرده است. در این مقاله برای اولین بار استفاده از گیت کمکی در ناحیه درین SOI-JLFET برای بهبود SS و کاهش جریان نشتی پیشنهاد شده است. ساختار پیشنهادشده "SOI-JLFET Aug" نامیده می‌شود. انتخاب بهینه برای تابع کار گیت کمکی و طول آن، سبب بهبود هر دو پارامتر شیب زیرآستانه و نسبت جریان روشنی به جریان خاموشی نسبت به ساختار اصلی، Regular SOI-JLFET شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد ساختار SOI-JLFET Aug با طول کانال nm 20، mV/dec 71 ~ SS و نسبت 1013 ~ ION/IOFF دارد. SS و نسبت ION/IOFF ساختار SOI-JLFET Aug نسبت به ساختار Regular SOI-JLFET با ابعاد مشابه، به ترتیب 14% و سه دهه بزرگی بهبود یافته‌اند. افزاره SOI-JLFET Aug می‌تواند کاندید مناسبی برای کاربردهای دیجیتال باشد.
UR  - rimag.ir/fa/Article/28378
L1  - rimag.ir/fa/Article/Download/28378
ER  -  
