Mendeley
TY  _  JOUR
ID  -  1401101740696
TI  -  طراحی فلیپ‌فلاپ‌های جدید سه‌سطحی در نانوالکترونیک با استفاده از CNFET
JO  -  فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران
JA  -  ES
LA  -  fa
SN  -  16823745
AU  -   رهبری کتایون 
AU  -  حسینی سید علی
AD  -  
AD  -  گروه الکترونیک دانشکده برق دانشگاه ازاد واحد یادگار امام خمینی (ره)/ تهران- ایران
Y1  -  2023
PY  -  2023
VL  -  3
IS  -  21
SP  -  167
EP  -  177
KW  -  فلیپ‌فلاپ
KW  -   مدارات سه‌سطحی
KW  -   ترانزیستور نانوکربنی
DO  -  
N2  -  استفاده از مدارات چندسطحی می‌تواند باعث کاهش اتصالات داخل تراشه شود. کاهش اتصالات داخل تراشه‌ها باعث کاهش حجم تراشه و اتلاف توان در اتصالات می‌گردد. در سال‌های اخیر با توجه به توانایی نانوالکترونیک در طراحی مدارات چندسطحی، تحقیقاتی در این زمینه رونق گرفته است. مدارات ترتیبی، فلیپ‌فلاپ‌ها از اجزای مهم پردازنده‌ها و مدارات VLSI هستند. در این مقاله برای اولین بار، فلیپ‌فلاپ سه‌سطحی با پالس ژنراتور پیشنهاد گردیده و همین طور فلیپ‌فلاپ دیکد باینری به سه‌سطحی و نیز اولین فلیپ‌فلاپ با استفاده از بافر معرفی شده و سپس این فلیپ‌فلاپ‌ها با خودشان و مدارات قبلی مقایسه شده‌اند. همچنین از این فلیپ‌فلاپ‌ها در طراحی شمارنده سه‌سطحی استفاده شده است. نتایج شبیه‌سازی با نرم‌افزار HSPICE بیانگر عملکرد صحیح مدارات پیشنهادی می‌باشد. در مدل فلیپ‌فلاپ پالس ژنراتور STI %20، در فلیپ‌فلاپ SP %30 و در فلیپ‌فلاپ با بافر 30% بهبود در تأخیر و کاهش در تعداد ترانزیستور وجود دارد. همین طور در جدول مقایسه، مزایا و معایب هر کدام مورد بررسی قرار گرفته است.
UR  - rimag.ir/fa/Article/40696
L1  - rimag.ir/fa/Article/Download/40696
ER  -  
